權(quán)利要求

1.鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法，包括以下步驟： 在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火； 或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后形成分散液，烘干，得到鈍化層； 再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層； 所述鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5； 所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述鈍化層為P型摻雜的VO 2納米粉體層、W摻雜VO 2納米粉體層、Al摻雜VO 2納米粉體層、或P型摻雜的VO 2薄膜層。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述450~550℃下退火的空氣分壓1000~10000Pa，時間6min以上； 所述250~350℃下退火的空氣分壓為1×10 3Pa~1×10 5Pa，時間50s以上。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述鈣鈦礦吸收層按照以下方法制得： 配置碘化鉛和碘化銫的混合溶液，得到PbI 2前驅(qū)體溶液； 將甲脒氫碘酸鹽和氯化甲胺的混合溶液，得到有機(jī)鹽溶液； 在所述鈍化層上涂覆PbI 2前驅(qū)體溶液，再涂覆有機(jī)鹽溶液，退火，形成鈣鈦礦吸收層。 5.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括依次設(shè)置的基底、空穴傳輸層、鈍化層和鈣鈦礦吸收層； 所述鈍化層為權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述處理方法形成的鈍化層。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層的厚度小于等于30微米。 7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層為NiO x2薄膜（x2≤1）。

說明書

鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池。

背景技術(shù)

鈣鈦礦太陽能電池主要由透明導(dǎo)電基板、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和背電極組成。太陽能電池是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體光電器件，在能源轉(zhuǎn)化領(lǐng)域具有重要研究價值。

鈣鈦礦太陽能電池為多層膜堆垛結(jié)構(gòu)，由于鈣鈦礦材料穩(wěn)定性價差，在使用過程中存在明顯的離子遷移，會導(dǎo)致器件界面處失穩(wěn)或電荷傳輸層材料講解等不宜。此外，太陽能電池?zé)嵫h(huán)服役條件下，由于鈣鈦礦吸光層與電荷傳輸之間的熱膨脹系數(shù)不匹配易產(chǎn)生較大的剪切應(yīng)力，從而在界面處脫層導(dǎo)致器件失效。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池，該處理方法在鈣鈦礦吸收層和空穴傳輸層界面形成鈍化層，作為界面緩沖層，能夠有效提高材料界面穩(wěn)定性，進(jìn)而提高太陽能電池的穩(wěn)定性。

本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法，包括以下步驟：

在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火；

或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后，進(jìn)行分散形成分散液，烘干，得到鈍化層；

再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層；

所述鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5；

所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。

圖1為鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法的退火或烘干示意圖；其中，低溫態(tài)為粉體分散液烘干形成鈍化層示意圖，高溫態(tài)為薄膜退火形成鈍化層示意圖。

本發(fā)明優(yōu)選通過磁控濺射制備含釩納米薄膜。

在本發(fā)明中，所述含釩納米薄膜為VO 2薄膜；所述含釩納米粉體選自V 0.99W 0.01O 2納米粉體、或VO 2納米粉體、或V 0.95Al 0.05O 2納米粉體；經(jīng)退火或烘干后，形成的鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5；具體實(shí)施例中，所述鈍化層為P型摻雜的VO 2納米粉體層、W摻雜VO 2納米粉體層、Al摻雜VO 2納米粉體層、或P型摻雜的VO 2薄膜層。

在本發(fā)明中，所述450~550℃下退火的空氣分壓1000~10000Pa，時間6min以上；具體實(shí)施例中，高溫態(tài)處理的條件包括溫度540℃、時間1000s、空氣分壓為5000Pa。

所述250~350℃下退火的空氣分壓為1×10 3Pa~1×10 5Pa，時間50s以上。具體實(shí)施例中，低溫態(tài)處理的條件包括溫度250℃，時間為3000s，空氣分壓為10000Pa；或包括溫度300℃、時間3000s，空氣分壓13000Pa；或包括溫度250℃、時間3000s，空氣分壓10000Pa。

所述分散液采用的溶劑優(yōu)選為醇類溶劑，更優(yōu)選為乙醇。在本發(fā)明中，所述烘干的溫度優(yōu)選為100~150℃；烘干的時間優(yōu)選將分散液中溶劑基本揮發(fā)。

在本發(fā)明中，所述鈣鈦礦吸收層按照以下方法制得：

配置碘化鉛和碘化銫的混合溶液，得到PbI 2前驅(qū)體溶液；

將甲脒氫碘酸鹽和氯化甲胺的混合溶液，得到有機(jī)鹽溶液；

在所述鈍化層上涂覆PbI 2前驅(qū)體溶液，再涂覆有機(jī)鹽溶液，退火，形成鈣鈦礦吸收層。

本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦太陽能電池，包括依次設(shè)置的基底、空穴傳輸層、鈍化層和鈣鈦礦吸收層；

所述鈍化層為上述技術(shù)方案所述處理方法形成的鈍化層。

在本發(fā)明中，所述鈍化層的厚度小于等于30微米。

在本發(fā)明中，所述空穴傳輸層為NiO x2薄膜（x2≤1）。

本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法，包括以下步驟：在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火；或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后形成分散液，烘干，得到鈍化層；再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層；所述鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5；所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。該處理方法在鈣鈦礦吸收層和空穴傳輸層界面形成鈍化層，作為界面緩沖層，能夠有效提高材料界面穩(wěn)定性，進(jìn)而提高太陽能電池的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的低溫態(tài)和高溫態(tài)的處理方法的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中p型摻雜VO 2納米粉體的XPS圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中界面處理和界面未處理制備的電池的電壓-電流密度曲線；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例1中界面處理和界面未處理制備的電池的穩(wěn)定性測試；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例2中界面處理和界面未處理制備的電池的電壓-電流密度曲線；

圖6為本發(fā)明中界面處理和界面未處理制備的電池的電壓-電流密度曲線；

圖7為本發(fā)明中界面處理和界面未處理制備的電池的穩(wěn)定性測試；

圖8為本發(fā)明中界面處理和界面未處理制備的電池的電壓-電流密度曲線。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明提供的一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法和鈣鈦礦太陽能電池進(jìn)行詳細(xì)地描述，但不能將它們理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。

采用PCE測試實(shí)施例和比較例制備的電池的電流密度-電壓（JV）曲線，測試在kethley 2400系統(tǒng)測試完成；測試條件：模擬光強(qiáng)為100mW cm -2（AM 1.5G）掃描速率為0.1Vs -1（步長為0.02 V，時間延遲為200ms），掃描區(qū)間為1.2V到-0.2V，氙燈的功率輸出由NERL（National Renewable Energy Laboratory）標(biāo)準(zhǔn)的KG5標(biāo)準(zhǔn)Si電池校準(zhǔn)。

穩(wěn)定性測試鈣鈦礦電池在氮?dú)馐痔紫渲?5℃條件下，進(jìn)行電池?zé)岱€(wěn)定性測試。

實(shí)施例1

稱取1.16gVOSO 4粉末分散到20mL去離子水連續(xù)攪拌10min后，獲得藍(lán)色透明的溶液。放置于70℃水浴加熱環(huán)境持續(xù)攪拌，然后將0.3mL水合肼溶(N 2H 4·H 2O，80 wt%) 緩慢滴加到上述溶液中，逐漸變?yōu)闇\藍(lán)色懸濁液。繼續(xù)攪拌15min，待懸濁液穩(wěn)定后加入適量1mol/LNaOH 水溶液，最后將沉淀物經(jīng)去離子水、無水乙醇、丙酮依次洗滌，最終得到前驅(qū)體。將前驅(qū)體分散到30mL去離子水中，分散均勻后轉(zhuǎn)移到容積為50mL高壓水熱釜中。將高壓水熱釜加熱到260 ℃，恒溫保持24 h，待反應(yīng)完畢后自然冷卻至室溫。將初產(chǎn)物用去離子水洗滌3次，放置在真空干燥箱內(nèi)60 ℃干燥6 h，獲得VO 2納米粉體。取適量粉體轉(zhuǎn)移至真空快速熱處理爐，250℃，空氣分壓10000Pa，退火3000s，獲得p型摻雜VO 2納米粉體。將5mg退火后VO 2納米粉體分散到1mL無水乙醇中，超聲分散12h，獲得高分散溶液A。

將1*1cmFTO薄膜（玻璃厚度2mm，F(xiàn)TO膜層厚度100nm）玻璃分別經(jīng)過乙醇、異丙醇（IPA）和丙酮各清洗30分鐘，用氮?dú)鈽尨蹈伞２捎么趴貫R射方法在FTO薄膜玻璃表層濺射一層致密NiO x2薄膜（厚度20nm，x2≤1），濺射功率為80W，30min。將上述濺射完的薄膜用氧等離子體處理10min，功率2kW。

取50μL溶液A均勻鋪在NiO x2薄膜表面，膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2500rpm，時間30s；然后放在120℃加熱臺，烘干5min。

稱量600mg碘化鉛（PbI 2）和6mg碘化銫（CsI）溶解于900μLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）和100μL二甲基亞砜（DMSO）溶液中，70℃加熱攪拌使之充分溶解，得到PbI 2前驅(qū)體溶液B。將80mg甲脒氫碘酸鹽（FAI）、8mg氯化甲胺（MACl）溶解于1mL的IPA溶液中，攪拌使之充分溶解，得到有機(jī)鹽溶液C。

取40μL的B溶液均勻鋪在上述退火處理后的薄膜表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2000rpm，時間30s；隨后置于75℃熱臺1min，形成涂層。取70μL的C溶液均勻鋪在涂覆B溶液后形成的涂層表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度3000rpm，時間30s；隨后將上述器件轉(zhuǎn)移至130℃熱臺退火15min。同樣不進(jìn)行A層旋涂的樣品作為對比例，分別得到鈣鈦礦薄膜（400nm）。

在上述制備的鈣鈦礦薄膜表面蒸鍍一層C60電子傳輸層（40nm），得到電池。

將電子傳輸層轉(zhuǎn)移到熱蒸鍍設(shè)備中，真空度達(dá)到1×10 -5Pa 的條件下開始蒸鍍電極（Au），厚度為100nm；得到電池。

表1 實(shí)施例1制備的電池的光伏測試結(jié)果

實(shí)施例2

稱取1.16gVOSO 4粉末和0.013g鎢酸銨分散到20mL去離子水70℃連續(xù)攪拌10min后，獲得藍(lán)色透明的溶液。放置于70℃水浴加熱環(huán)境持續(xù)攪拌，然后將0.3mL水合肼溶(N 2H 4·H 2O，80 wt%) 緩慢滴加到上述溶液中，逐漸變?yōu)闇\藍(lán)色懸濁液。繼續(xù)攪拌15min，待懸濁液穩(wěn)定后加入適量1mol/LNaOH 水溶液，最后將沉淀物經(jīng)去離子水、無水乙醇、丙酮依次洗滌，最終得到前驅(qū)體。將前驅(qū)體分散到30mL去離子水中，分散均勻后轉(zhuǎn)移到容積為50mL高壓水熱釜中。將高壓水熱釜加熱到260 ℃，恒溫保持24 h，待反應(yīng)完畢后自然冷卻至室溫。將初產(chǎn)物用去離子水洗滌3次，放置在真空干燥箱內(nèi)60℃干燥6 h，獲得W摻雜VO 2納米粉體。取適量粉體轉(zhuǎn)移至真空快速熱處理爐，300℃，空氣分壓13000Pa，退火3000s，獲得納米粉體V 0.99W 0.01O 2。

將5mg退火后W摻雜VO 2納米粉體分散到1mL無水乙醇中，超聲分散12h，獲得高分散溶液A。

將1*1cmFTO薄膜（玻璃厚度2mm，F(xiàn)TO膜層厚度100nm）玻璃分別經(jīng)過乙醇、異丙醇（IPA）和丙酮各清洗30分鐘，用氮?dú)鈽尨蹈伞２捎么趴貫R射方法在FTO薄膜玻璃表層濺射一層致密NiO x2薄膜（厚度20nm，x2≤1），濺射功率為80W，30min。將上述濺射完的薄膜用氧等離子體處理10min，功率2kW。

取50μL溶液A均勻鋪在NiO x2薄膜表面，膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2500rpm，時間30s；然后放在120℃加熱臺，烘干5min。

稱量600mg碘化鉛（PbI 2）和6mg碘化銫（CsI）溶解于900μLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）和100μL二甲基亞砜（DMSO）溶液中，70℃加熱攪拌使之充分溶解，得到PbI 2前驅(qū)體溶液B。將80mg甲脒氫碘酸鹽（FAI）、8mg氯化甲胺（MACl）溶解于1mL的IPA中，攪拌使之充分溶解，得到有機(jī)鹽溶液C。

取40μL的B溶液均勻鋪在上述退火處理后的薄膜表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2000rpm，時間30s；隨后置于75℃熱臺1min，形成涂層。取70μL的C溶液均勻鋪在涂覆B溶液后形成的涂層表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為：速度3000rpm，時間30s；隨后將上述器件轉(zhuǎn)移至130℃熱臺退火15min。同樣不進(jìn)行A層旋涂的樣品作為對比例，分別得到鈣鈦礦薄膜（400nm）。

在上述制備的鈣鈦礦薄膜表面蒸鍍一層C60電子傳輸層（40nm），得到電池。

將電子傳輸層轉(zhuǎn)移到熱蒸鍍設(shè)備中，真空度達(dá)到1×10 -5Pa 的條件下開始蒸鍍電極（Au），厚度為100nm；得到電池。

表2 實(shí)施例2制備的電池的光伏參數(shù)

實(shí)施例3（Al摻雜）

稱取1.16gVOSO 4粉末和0.053g硝酸鋁分散到20mL去離子水連續(xù)攪拌10min后，獲得藍(lán)色透明的溶液。放置于70℃水浴加熱環(huán)境持續(xù)攪拌，然后將0.3mL水合肼溶(N 2H 4·H 2O，80 wt%) 緩慢滴加到上述溶液中，逐漸變?yōu)闇\藍(lán)色懸濁液。繼續(xù)攪拌15min，待懸濁液穩(wěn)定后加入適量1mol/LNaOH 水溶液，最后將沉淀物經(jīng)去離子水、無水乙醇、丙酮依次洗滌，得到前驅(qū)體。將前驅(qū)體分散到30mL去離子水中，分散均勻后轉(zhuǎn)移到容積為50mL高壓水熱釜中。將高壓水熱釜加熱到260℃，恒溫保持24 h，待反應(yīng)完畢后自然冷卻至室溫。將初產(chǎn)物用去離子水洗滌3次，放置在真空干燥箱內(nèi)60℃干燥6h，獲得V 0.95Al 0.05O 2納米粉體。取適量粉體轉(zhuǎn)移至真空快速熱處理爐，250℃，空氣分壓10000Pa，退火3000s，獲得納米粉體。

將5mg退火后Al摻雜VO 2納米粉體分散到1mL無水乙醇中，超聲分散12h，獲得高分散溶液A。

將1*1cmFTO薄膜（玻璃厚度2mm，F(xiàn)TO膜層厚度100nm）玻璃分別經(jīng)過乙醇、異丙醇（IPA）和丙酮各清洗30分鐘，用氮?dú)鈽尨蹈伞２捎么趴貫R射方法在FTO薄膜玻璃表層濺射一層致密NiO x2薄膜（厚度20nm，x2≤1），濺射功率為80W，30min。將上述濺射完的薄膜用氧等離子體處理10min，功率2kW。

取50μL溶液A均勻鋪在NiO x2薄膜表面，膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2500rpm，時間30s；然后放在120℃加熱臺，烘干5min。

稱量600mg碘化鉛（PbI 2）和6mg碘化銫（CsI）溶解于900μLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）和100μL二甲基亞砜（DMSO）溶液中，70℃加熱攪拌使之充分溶解，得到PbI 2前驅(qū)體溶液B。將80mg甲脒氫碘酸鹽（FAI）、8mg氯化甲胺（MACl）溶解于1mL的IPA中，攪拌使之充分溶解，得到有機(jī)鹽溶液C。

取40μL的B溶液均勻鋪在上述退火處理后的薄膜表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2000rpm，時間30s；隨后置于75℃熱臺1min，形成涂層。取70μL的C溶液均勻鋪在涂覆B溶液后形成的涂層表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為：速度3000rpm，時間30s；隨后將上述器件轉(zhuǎn)移至130℃熱臺退火15min。同樣不進(jìn)行A層旋涂的樣品作為對比例，分別得到鈣鈦礦薄膜（400nm）。

在上述制備的鈣鈦礦薄膜表面蒸鍍一層C60電子傳輸層（40nm），得到電池。

將電子傳輸層轉(zhuǎn)移到熱蒸鍍設(shè)備中，真空度達(dá)到1×10 -5Pa 的條件下開始蒸鍍電極（Au），厚度為100nm，得到電池。

表3 實(shí)施例3制備的電池的光伏參數(shù)

實(shí)施例4

將1*1cmFTO薄膜（玻璃厚度2mm，F(xiàn)TO膜層厚度100nm）玻璃分別經(jīng)過乙醇、異丙醇（IPA）和丙酮各清洗30分鐘，用氮?dú)鈽尨蹈?。采用磁控濺射方法在FTO薄膜玻璃表層濺射一層致密NiO x2薄膜（厚度20nm，x2≤1），濺射功率為80W，30min。將上述濺射完的薄膜用氧等離子體處理10min，功率2kW。

1*1cmFTO/NiO x2基底（玻璃厚度2mm，F(xiàn)TO膜層厚度100nm）依次放入丙酮、無水乙醇和去離子水中分別超聲清洗十分鐘，清洗完成后用氮?dú)鈸尡砻娲蹈?；將清洗好的基片固定于磁控濺射樣品臺上，并放置到磁控濺射設(shè)備中。磁控濺射腔室抽真空至壓強(qiáng)為1×10 -4Pa，樣品臺升溫至400℃，之后調(diào)整分子泵抽力并通入氬氣（純度99.9993%）直至腔室內(nèi)壓強(qiáng)穩(wěn)定1Pa；濺射過程中O 2氣和Ar氣的總流量為50 sccm，氧氬比為1:49，濺射時間為3 min，直流（釩靶）功率固定為80 W，取出樣品移至真空快速熱處理爐，540℃，空氣分壓5000Pa，退火1000s，獲得具有P型摻雜的VO 2修飾層(厚度15nm)的基底。

稱量600mg碘化鉛（PbI 2）和6mg碘化銫（CsI）溶解于900μLN,N-二甲基甲酰胺（DMF）和100μL二甲基亞砜（DMSO）溶液中，70℃加熱攪拌使之充分溶解，得到PbI 2前驅(qū)體溶液A。將80mg甲脒氫碘酸鹽（FAI）、8mg氯化甲胺（MACl）溶解于1mL的IPA中，攪拌使之充分溶解，得到有機(jī)鹽溶液B。

取40μL的A溶液均勻鋪在上述退火處理后的薄膜表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度2000rpm，時間30s；隨后置于75℃熱臺1min，形成涂層。取70μL的B溶液均勻鋪在涂覆A溶液后形成的涂層表面，勻膠機(jī)參數(shù)設(shè)置為，速度3000rpm，時間30s；隨后將上述器件轉(zhuǎn)移至130℃熱臺退火15min。同樣不進(jìn)行A層旋涂的樣品作為對比例，分別得到鈣鈦礦薄膜（400nm）。

在上述制備的鈣鈦礦薄膜表面蒸鍍一層C60電子傳輸層（40nm），得到電池。

將電子傳輸層轉(zhuǎn)移到熱蒸鍍設(shè)備中，真空度達(dá)到1×10 -5Pa 的條件下開始蒸鍍電極（Au），厚度為100nm；得到電池。

表4 實(shí)施例4制備的電池的光伏參數(shù)

由以上實(shí)施例可知，本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦吸收層/空穴傳輸層界面的處理方法，包括以下步驟：在空穴傳輸層上制備含釩納米薄膜后450~550℃下退火；或在空穴傳輸層上將含釩納米粉體250~350℃下退火后形成分散液，烘干，得到鈍化層；再在所述鈍化層上制備鈣鈦礦吸收層；所述鈍化層的組成為V 1-x1M x1O y；0≤x1≤1；2<y<2.5；所述M選自Mg、Cu、Cr、W、Nb、Mo、B、H、Zr、Sn、La和Ti中的一種或多種。該處理方法在鈣鈦礦吸收層和空穴傳輸層界面形成鈍化層，作為界面緩沖層，能夠有效提高材料界面穩(wěn)定性，進(jìn)而提高太陽能電池的穩(wěn)定性。鈣鈦礦太陽能電池還具有較高光電轉(zhuǎn)換效率。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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