本發(fā)明涉及一種小尺寸圓截面陶瓷基
復(fù)合材料構(gòu)件熔融滲硅方法。解決對于小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料零構(gòu)件LSI工藝制備過程存在的易產(chǎn)生內(nèi)外密度梯度差、構(gòu)件密度均勻差、易變形及底部液硅易堆積、粘接等問題。主要包括制備熔融滲硅工裝、加工小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件半成品及制備小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的步驟,本發(fā)明在小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件半成品內(nèi)型內(nèi)填充滿SiC砂粒,同時(shí),在小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件半成品外壁與第一坩堝單元內(nèi)壁之間的間隙即料粉裝填區(qū)裝填料粉;內(nèi)外部雙面熔融滲透,有效提高改性均勻性。
聲明:
“小尺寸圓截面陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件熔融滲硅方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)