本發(fā)明公開了一種新型高比表面積SiC基的新型納米碳
復(fù)合材料制備方法。通過選擇合成溫度、氣氛、不同催化劑,可實現(xiàn)在SiC表面控制生長出一層或多層不同厚度的碳層,且該碳層的形貌和結(jié)構(gòu)特點隨合成條件不同而不同。本發(fā)明實現(xiàn)了基于SiC的C-SiC復(fù)合材料的合成,該復(fù)合材料同時具有碳材料與SiC的優(yōu)勢,可應(yīng)用于催化和吸附中。
聲明:
“SiC基的新型納米碳復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)