本發(fā)明涉及一種含有α?Al2O3涂層的高密度C/C?SiC
復(fù)合材料坩堝,屬于單晶硅拉制爐用熱場(chǎng)部件技術(shù)領(lǐng)域。所述復(fù)合材料坩堝包括坩堝本體以及涂覆在坩堝本體內(nèi)表面的α?Al2O3涂層,坩堝本體是通過CVI工藝、樹脂浸漬炭化工藝以及反應(yīng)熔滲工藝依次對(duì)炭纖維預(yù)制體進(jìn)行熱解炭、樹脂炭以及碳化硅增密處理獲得的C/C?SiC復(fù)合材料,炭纖維預(yù)制體的體積密度為0.3g/cm3~0.5g/cm3,熱解炭增密至1.0g/cm3~1.2g/cm3,樹脂炭增密至1.4g/cm3~1.6g/cm3,碳化硅增密至1.8g/cm3~2.0g/cm3。所述復(fù)合材料坩堝既具有支撐作用又可保證熔融硅純度,避免石英坩堝的使用,而且復(fù)合材料坩堝的使用壽命顯著提高,有效降低單晶硅拉制成本,解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須同時(shí)使用石英坩堝和炭/炭復(fù)合材料坩堝拉制單晶硅所帶來的問題。
聲明:
“含有α-Al2O3涂層的高密度C/C-SiC復(fù)合材料坩堝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)