本發(fā)明公開了一種新型雙層磁性絕緣硅
復(fù)合材料及其制備方法,包含由磁性層和絕緣層組成的中間層;所述中間層的上表面和下表面分別設(shè)置有單晶硅片;所述絕緣層,包含二氧化硅基多元復(fù)合材料層;所述二氧化硅基多元復(fù)合材料層的上表面設(shè)置有磁性層;所述磁性層的上表面設(shè)置有第一二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元復(fù)合材料層的下表面設(shè)置有第二二氧化硅膜層;本發(fā)明的新型雙層磁性絕緣硅復(fù)合材料具有完整的單晶硅晶格結(jié)構(gòu),所述磁性層和絕緣層的各組分的厚度和深度分布可調(diào),制成的產(chǎn)品同時具有電學(xué)和磁性性能,且性能優(yōu)良,不需采用復(fù)雜昂貴設(shè)備,整體制備工藝簡單、易行、低成本。
聲明:
“新型雙層磁性絕緣硅復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)