本發(fā)明公開了一種SiC納米線增強(qiáng)SiC陶瓷基
復(fù)合材料及其制備方法,屬于陶瓷基復(fù)合材料領(lǐng)域,制備的SiC納米線增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料具有強(qiáng)度高,韌性好,密度小,耐高溫等優(yōu)點(diǎn)。該復(fù)合材料包括超長(zhǎng)SiC納米線和SiC陶瓷基體,所述超長(zhǎng)SiC納米線通過原位自交聯(lián)生長(zhǎng)組成SiC陶瓷基復(fù)合材料預(yù)制件,所述的SiC納米線預(yù)制件中的超長(zhǎng)SiC納米線相互纏繞,交聯(lián)成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),所述的SiC陶瓷基體填充于超長(zhǎng)SiC納米線的孔隙中;制備方法包括SiC納米線預(yù)制件的制備、化學(xué)氣相浸滲、先驅(qū)體浸漬裂解,該制備方法可以制備復(fù)雜構(gòu)件,制備方法工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備要求低,成本低,環(huán)保。
聲明:
“SiC納米線增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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