本發(fā)明屬于電子封裝材料的制備領(lǐng)域,公開一種碳化硅/Cu
復(fù)合材料的制備方法。將酚醛樹脂粉溶解于無水乙醇中;將SiC粉加入所得溶液中,40~60℃攪拌均勻;將攪拌均勻的漿料烘干,造粒過篩,將所得顆粒粉壓制成型,得到SiC坯體;將SiC坯體置于二氧化鈦溶膠中浸漬處理;取出浸漬后的SiC坯體,干燥后煅燒,得到含TiC涂層的SiC坯體;用銅粉包埋SiC坯體,在真空或者惰性氣氛保護(hù)下1100~1300℃無壓熔滲銅0.5~2?h,隨后自然降溫冷卻,即得到碳化硅/銅復(fù)合材料。本發(fā)明具有工藝簡單、操作方便、產(chǎn)品性能良好等優(yōu)點(diǎn),使SiC/Cu復(fù)合材料擁有良好的導(dǎo)熱性能、低的熱膨脹系數(shù)并具有一定的機(jī)械強(qiáng)度。
聲明:
“碳化硅/Cu復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)