本發(fā)明涉及一種負(fù)介電材料的制備方法,特別涉及一種具有穩(wěn)定的弱負(fù)介電性能的超構(gòu)
復(fù)合材料制備方法,負(fù)介電性能對(duì)材料組成變化的敏感度低,該發(fā)明可應(yīng)用于電磁屏蔽、吸波、高容量電容器領(lǐng)域。上述負(fù)介電材料的制備方法,包括:步驟1:利用正硅酸四乙酯制備不同粒徑的SiO2微球;步驟2:炭的前驅(qū)體溶液的配置;步驟3:復(fù)合材料前驅(qū)體的成型;步驟4:碳化前驅(qū)體復(fù)合材料。本發(fā)明所制備的復(fù)合材料,其負(fù)介電常數(shù)在?400至0范圍,由于熱解碳的特殊多孔結(jié)構(gòu),弱負(fù)介電性能對(duì)碳含量的變化不敏感,性能穩(wěn)定;通過(guò)調(diào)控二氧化硅微球的尺寸、前驅(qū)體溶液的濃度和碳化溫度可方便地調(diào)控復(fù)合材料的介電性能;復(fù)合材料溫度穩(wěn)定性高,使用的溫度區(qū)間大,可應(yīng)用于高溫電磁領(lǐng)域。
聲明:
“具有穩(wěn)定的弱負(fù)介電性能的超構(gòu)復(fù)合材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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