本發(fā)明涉及一種三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)/
石墨烯功能
復(fù)合材料,所述三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)分子式為CdSexTe1-x、CdSxSe1-x或ZnxCd1-xS,其中0.2≤x≤0.8,它為采用以下步驟所得產(chǎn)物:1)制備三元半導(dǎo)體量子點(diǎn);2)表面功能化修飾的三元半導(dǎo)體量子點(diǎn);3)制備三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)/石墨烯功能復(fù)合材料:向氧化石墨烯的水分散液中加入交聯(lián)劑,然后加入表面功能化修飾的三元半導(dǎo)體量子點(diǎn),反應(yīng)得到三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)/氧化石墨烯復(fù)合材料,水合肼還原得到三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)/石墨烯功能復(fù)合材料。該功能復(fù)合材料光譜響應(yīng)范圍廣,有效地?cái)U(kuò)展了石墨烯基復(fù)合材料的光吸收范圍。
聲明:
“三元半導(dǎo)體量子點(diǎn)∕石墨烯功能復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)