本發(fā)明涉及一種核殼結(jié)構(gòu)的聚合物基
復(fù)合材料及其制備方法,電子復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域。所述復(fù)合材料由核殼結(jié)構(gòu)的納米顆粒和聚合物材料樹脂組成,所述納米顆粒為表面包覆絕緣有機(jī)層的AG納米顆粒,所述聚合物材料樹脂為環(huán)氧樹脂;所述配方體積比為:AG納米顆粒5~35%,環(huán)氧樹脂95~65%。采用溶液澆鑄法制備出具有優(yōu)良介電性能的聚合物基復(fù)合材料。該復(fù)合材料的介電常數(shù)可以通過調(diào)節(jié)AG顆粒外部包覆層的厚度在210~450之間進(jìn)行調(diào)制,同時(shí)介電損耗保持在TANΔ<5%。實(shí)驗(yàn)證明這種核/殼結(jié)構(gòu)顆粒填充聚合物基復(fù)合材料同時(shí)兼有較高的介電常數(shù)和較低的介電損耗,是一種有希望在嵌入式電容器方面得到應(yīng)用的材料。
聲明:
“核殼結(jié)構(gòu)的聚合物基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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