本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅納米線增韌C/SiC
復(fù)合材料表面涂層的制備方法。其特征在于所述的SiC納米線原位生長(zhǎng)在C/SiC復(fù)合材料表面,具有一定深度且納米線深入內(nèi)部的孔隙結(jié)構(gòu),SiC陶瓷顆粒包覆在SiC納米線上形成致密的涂層。將
碳纖維編制件置于管式爐,以CH
3SiCl
3(MTS)為原料,高純H
2為載氣,高純Ar氣為稀釋氣體,采用CVI制備碳纖維增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料;然后采用PPCVD法在復(fù)合材料表面生長(zhǎng)一層非致密SiC納米線;最后采用放電等離子體燒結(jié)技術(shù)(SPS)在納米線上鍍覆一層SiC涂層。本發(fā)明使用納米線增韌涂層可減少燒結(jié)過(guò)程的熱應(yīng)力,增加SiC涂層的韌性及硬度從而降低涂層的開(kāi)裂,提高涂層和基體結(jié)合強(qiáng)度,提高復(fù)合材料的抗氧化燒蝕性能。
聲明:
“C/SiC復(fù)合材料表面納米線增韌涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)