本發(fā)明涉及一種
復(fù)合材料及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管。復(fù)合材料包括
半導(dǎo)體材料和摻雜于半導(dǎo)體材料中的p型摻雜劑,p型摻雜劑為全氟烷基
硅烷。上述復(fù)合材料中,作為p型摻雜劑的全氟烷基硅烷具有很強(qiáng)的吸電子能力,可以將電子從半導(dǎo)體材料中吸走,從而留下空穴,提高半導(dǎo)體材料的空穴濃度,繼而提高半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率,從而提高空穴傳輸效率,增加半導(dǎo)體材料的空穴傳輸性能。此外,本發(fā)明還涉及一種復(fù)合材料的制備方法以及包括上述復(fù)合材料的量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
聲明:
“復(fù)合材料及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)