本發(fā)明公開(kāi)了一種新型磁性絕緣硅
復(fù)合材料及其制備方法,所述新型磁性絕緣硅復(fù)合材料,包含中間絕緣層;所述中間絕緣層的上表面和下表面分別設(shè)置有單晶硅片;所述中間絕緣層,包含二氧化硅基多元磁性復(fù)合材料層;所述二氧化硅基多元磁性復(fù)合材料層的上表面設(shè)置有第一二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元磁性復(fù)合材料層的下表面設(shè)置有第二二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元磁性復(fù)合材料由磁性元素?fù)饺氲饺勰牧蠌?fù)合而成。本發(fā)明方案能夠保持有完整的單晶硅晶格結(jié)構(gòu),具有優(yōu)良的電、磁性能,所述新型磁性絕緣硅復(fù)合材料的制備方法可調(diào)節(jié)中間絕緣層的各組分的厚度和深度分布,且制備過(guò)程不需采用復(fù)雜昂貴設(shè)備,整體制備工藝簡(jiǎn)單、易行、低成本。
聲明:
“新型磁性絕緣硅復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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