本發(fā)明公開了一種碳/碳化硅陶瓷基
復(fù)合材料密度標定方法。首先利用CVI工藝制備C/SIC復(fù)合材料分階段逐步致密的特點,在C/SIC復(fù)合材料制備的各致密階段獲取隨爐梯度密度標樣;然后采用工業(yè)CT技術(shù)一次同步檢測梯度密度標樣和被標定C/SIC復(fù)合材料,獲得CT圖像;建立梯度密度標樣CT值與其密度之間的函數(shù)標定關(guān)系;最后利用函數(shù)標定關(guān)系來標定同一CT掃描截面上C/SIC復(fù)合材料的內(nèi)部密度分布。由于采用一次同步完成標樣和被標定C/SIC復(fù)合材料的CT截面掃描,獲得的復(fù)合材料內(nèi)部密度分布信息準確,檢測速度快,精度高,成本低。
聲明:
“碳/碳化硅陶瓷基復(fù)合材料密度標定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)