一種聚吡咯/二氧化硅納米
復(fù)合材料及其制備方法。屬于聚吡咯復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。主要解決因改變其加工性能卻使電導(dǎo)率下降的問題。主要技術(shù)要點(diǎn)是將納米二氧化硅與吡咯單體、氧化劑、摻雜劑在聚合反應(yīng)器內(nèi)充分混合并縮聚,然后離心分離,真空干燥后的粉末壓制成型,得到二氧化硅粒子以納米尺度均勻分散于聚吡咯中的高導(dǎo)電性能、高強(qiáng)度與很好加工性能的聚吡咯/二氧化硅納米復(fù)合材料。有望要用于二次電池的電極材料、離子傳感器、太陽能材料和信息處理材料。
聲明:
“聚吡咯/二氧化硅納米復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)