一種硅化金剛石/SiC復(fù)合材料的制備方法，屬于電子封裝材料領(lǐng)域。首先將金剛石顆粒與硅粉進(jìn)行濕混，充分研磨后進(jìn)行燒結(jié)，使得金剛石表面與硅粉發(fā)生反應(yīng)，生成一層碳化硅涂層，然后以表面鍍覆碳化硅的金剛石顆粒與硅粉混合，同時(shí)加入有機(jī)粘結(jié)劑，研磨并且在混料機(jī)上混料，得到了均勻的復(fù)合顆粒。這些復(fù)合顆粒經(jīng)過預(yù)壓、脫脂，移入真空熔滲爐中，采用硅掩埋法進(jìn)行真空熔滲，制備了致密的金剛石/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明采用硅粉對(duì)金剛石微粒進(jìn)行了改性，提高了金剛石與硅之間的界面結(jié)合性，得到的金剛石/SiC復(fù)合材料致密度在95％以上，硬度HRA80以上，抗彎強(qiáng)度超過200MPa，熱導(dǎo)率可達(dá)到600W/mK，熱膨脹系數(shù)1.5～4×10?6/K。本發(fā)明可一次制備多種復(fù)雜性狀，復(fù)雜曲率，大尺寸的產(chǎn)品，生產(chǎn)效率高、成本低。