本發(fā)明公開了一種硫摻雜ReSe₂/MXene復(fù)合材料的制備方法，以MXene為主要基底，將合成的ReSe₂負(fù)載在MXene上，將硫元素?fù)诫s到ReSe₂/MXene復(fù)合物中，經(jīng)熱處理反應(yīng)制得硫摻雜ReSe₂/MXene復(fù)合材料。所述硫摻雜ReSe2/MXene復(fù)合材料導(dǎo)電性佳，層間距增大，比表面積大。MXene特殊的層狀結(jié)構(gòu)有效減緩在循環(huán)充放電過程中由于負(fù)極材料的團(tuán)聚或體積膨脹而帶來的電學(xué)性能下降、結(jié)構(gòu)塌陷等問題；ReSe₂的負(fù)載有效提高了層間距，增大比表面積；進(jìn)一步地，硫元素的摻雜使ReSe₂/MXene復(fù)合材料暴露更多活性位點與空位，提高材料的儲鉀性能。MXene，ReSe₂，硫原子之間以彌補各自的缺陷和不足，具有協(xié)同增效作用，最大程度地提高了復(fù)合材料的儲鉀性能，比容量、充放電穩(wěn)定性、電子轉(zhuǎn)移速率等性能。同時，制備工藝簡單，性能可控。