本發(fā)明涉及
復(fù)合材料晶片的制造方法和舊施體基材的再循環(huán)方法,所述復(fù)合材料晶片的制造方法包括多個(gè)步驟,所述再循環(huán)方法是對(duì)在復(fù)合材料晶片的制造方法中獲得的施體基材進(jìn)行再循環(huán)的方法,其中為了改善所述施體基材的再循環(huán)率,實(shí)施至少一個(gè)熱處理步驟,配置所述熱處理步驟以至少部分減少氧沉淀和/或氧核。
聲明:
“復(fù)合材料晶片的制造方法和舊施體基材的再循環(huán)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)