本發(fā)明涉及聚羥基烷酸酯/蒙脫土插層型納米
復(fù)合材料的共混制備。它是一種簡(jiǎn)便而又高效的共混復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明所使用制備方法是三步熔融插層法。即先通過(guò)引發(fā)劑在熔融的條件下制備聚羥基烷酸酯的接枝聚合物,再通過(guò)熔融插層法制備出以接枝聚羥基烷酸酯為基體,經(jīng)有機(jī)化改性的納米蒙脫土為填充成分的填充母料,最后再將此母料與聚羥基烷酸酯熔融共混制備出其復(fù)合材料。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,所獲得的復(fù)合材料納米蒙脫土層間距在1NM-5NM之間,所制得的材料中納米蒙脫土分散均勻,材料力學(xué)性能好,具有較好的耐熱性能和成膜性等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“聚羥基烷酸酯/蒙脫土插層型納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)