本發(fā)明涉及金屬陶瓷
復(fù)合材料領(lǐng)域,公開了一種多孔碳化硅預(yù)制體和Al-SiC復(fù)合材料及它們的制備方法。其中,該多孔碳化硅預(yù)制體包括SiC基體以及分散在所述SiC基體比表面上的Si3N4相,以多孔碳化硅預(yù)制體的總重量100wt%為基準(zhǔn),所述多孔碳化硅預(yù)制體中Si3N4相的含量為0.6-2.0重量%。在本發(fā)明中通過在多孔碳化硅預(yù)制體中形成Si3N4相,在使用形成有Si3N4相的這種碳化硅坯體通過真空壓力浸滲工藝與鋁復(fù)合時,Si3N4相會優(yōu)選與AL金屬反應(yīng)生成AlN相,減少了Al4C3相的生成,進(jìn)而有利于提高所制備的Al-SiC復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和力學(xué)性能。
聲明:
“多孔碳化硅預(yù)制體和Al-SiC復(fù)合材料及它們的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)