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石墨烯復合材料/氮化硅/硅芯片高效散熱系統(tǒng)

685 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:20:02

本發(fā)明提供一種基于石墨烯復合材料/氮化硅/硅芯片多層結構的散熱系統(tǒng)及構建方法，屬于微電子器件的散熱技術。該散熱架構包括硅基發(fā)熱器件，Si3N4絕緣層，石墨烯復合材料熱沉和基板。其中通過化學氣相沉積法在硅片背面沉積一層致密的Si3N4絕緣層，通過化學鍵將石墨烯復合材料與Si3N4絕緣層互連，最后將上述帶有散熱架構的硅片與基板相連并封裝成器件。本發(fā)明利用了化學鍵將硅基發(fā)熱器件，熱界面材料，熱沉互連，極大減少各器件層間距，避免層間微空隙所引起的熱阻，促進聲子傳熱，進而提高了整體散熱系統(tǒng)的散熱能力，使得芯片能夠在惡劣的高溫環(huán)境下工作。且封裝后，整體系統(tǒng)更輕更薄，符合當代半導體器件的發(fā)展趨勢。

聲明：

“石墨烯復合材料/氮化硅/硅芯片高效散熱系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)