本發(fā)明公開了一種高介電性能三元
復(fù)合材料及其制備方法,屬于嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲器件等的應(yīng)用領(lǐng)域。本發(fā)明復(fù)合材料由聚偏氟乙烯和填料組成,填料為
硅烷偶聯(lián)劑KH550改性碳化硅納米線和硅烷偶聯(lián)劑KH570改性四針狀氧化鋅晶須;是按下述步驟進(jìn)行的:將KH550?SiCNWs和KH570?T?ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中,室溫超聲震蕩至少2h,加入PVDF粉末,在室溫下超聲溶解反應(yīng)至少4h,得到摻雜改性填料溶膠;然后進(jìn)行抽濾和抽氣泡,然后鋪膜,然后烘干,得到復(fù)合薄膜;積疊放后熱壓,得高介電性能三元復(fù)合材料。相較于SiCNWs/PVDF二元復(fù)合材料,本發(fā)明的三元復(fù)合材料具有更加優(yōu)異的介電性能。
聲明:
“高介電性能三元復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)