本發(fā)明屬于電子封裝材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別設(shè)計(jì)一種高導(dǎo)熱銅基
復(fù)合材料及其制備方法。該銅基復(fù)合材料由增強(qiáng)體和粘結(jié)劑經(jīng)預(yù)制件的注射成形工藝,制成增強(qiáng)體預(yù)制件,其中增強(qiáng)體顆粒的尺寸為7~60ΜM,由碳化硅顆粒、金剛石顆?;虻X顆粒中的一種或兩種組成;將銅基體直接放在該增強(qiáng)體預(yù)制件上,其中銅基體為電解銅或無氧銅,增強(qiáng)體與銅基體的體積比為50-75%∶25-50%,經(jīng)壓力浸滲工藝制成。該制備方法采用預(yù)制件的注射成形工藝和壓力浸滲工藝制成該高導(dǎo)熱銅基復(fù)合材料。本發(fā)明中銅基復(fù)合材料的熱導(dǎo)率均比相同增強(qiáng)體體系的鋁基復(fù)合材料高,材料本身密度低,熱膨脹系數(shù)小,滿足了封裝材料輕質(zhì)量的要求。
聲明:
“高導(dǎo)熱銅基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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