一種C/SiC
復(fù)合材料制備方法,屬于復(fù)合材料制備領(lǐng)域。針對(duì)目前制備方法存在制備的2D?C/SiC復(fù)合材料存在層間剪切強(qiáng)度不高、受力易分層的問(wèn)題,提供一種高的層間剪切強(qiáng)度C/SiC復(fù)合材料制備方法。該方法采用浸漬-裂解致密加Z向穿刺纖維方式,制備出C/SiC復(fù)合材料。該制備方法制備的C/SiC復(fù)合材料具有很高的層間剪切強(qiáng)度。
聲明:
“C/SiC復(fù)合材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)