本發(fā)明公開了一種基于磁集聚器和納米磁顆粒
復(fù)合材料的微型磁電容傳感器件,包括SOI基底、兩個(gè)磁場集聚器、磁納米顆粒復(fù)合材料磁電容敏感單元、左金屬電極板和右金屬電極板;兩個(gè)磁場集聚器和磁納米顆粒復(fù)合材料磁電容敏感單元位于將SOI基底的頂層低阻Si圖形化刻蝕后的SiO2表面上;兩個(gè)磁場集聚器呈左右對稱狀布置;磁納米顆粒復(fù)合材料磁電容敏感單元位于兩個(gè)磁場集聚器之間的間隙處,該磁納米顆粒復(fù)合材料由超順磁納米顆粒和高分子聚合物組成;每個(gè)磁場集聚器和磁納米顆粒復(fù)合材料磁電容敏感單元之間間隔著左金屬電極板和右金屬電極板。本發(fā)明適用于各種場合的磁場測量,尤其適用于深空、深海、深地等高動(dòng)態(tài)磁場應(yīng)用環(huán)境的磁場測量。
聲明:
“基于磁集聚器和磁納米顆粒復(fù)合材料的微型磁電容傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)