半導體制造裝置用部件(10)具有
氧化鋁制靜電卡盤(20)、冷卻板(30)、以及冷卻板-卡盤接合層(40)。冷卻板(30)具有第1~第3基板(31~33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之間的第1金屬接合層(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之間的第2金屬接合層(35)、以及制冷劑通路(36)。第1~第3基板(31~33)由致密質(zhì)
復合材料形成,所述致密質(zhì)復合材料中碳化硅的含量最多,并且含有硅化鈦、鈦碳化硅以及碳化鈦。金屬接合層(34、35)通過在第1以及第2基板(31、32)之間,以及在第2以及第3基板(32、33)之間夾持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金屬接合材料并將各基板(31~33)進行熱壓接合而形成。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)