本發(fā)明涉及一種
復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域。將硅粉包埋于碳化硅基復(fù)合材料表面,高溫真空熔滲,使復(fù)合材料包埋于熔體之中;然后將包覆熔體的復(fù)合材料置于過量碳源之中,再次高溫?zé)崽幚怼G謇肀砻鏆堅(jiān)蠹纯傻玫胶蠸iC涂層的復(fù)合材料。本發(fā)明采用反應(yīng)熔滲法制備涂層,可實(shí)現(xiàn)制備涂層的同時(shí)進(jìn)一步提高基材的致密度;通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
聲明:
“碳化硅基復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)