本發(fā)明公開了一種SiC陶瓷基
復(fù)合材料構(gòu)件及其制備方法,該SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件包括多塊SiC陶瓷基復(fù)合材料被連接件,被連接件兩兩之間通過(guò)位于連接接頭處的連接層連接成一體,連接層由混合漿料經(jīng)氣相滲硅燒結(jié)而成,混合漿料包括炭黑、α?SiC陶瓷粉和分散劑。SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法包括以下步驟:(1)混合漿料的配制;(2)預(yù)連接;(3)氣相滲硅燒結(jié)。該SiC陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的連接接頭界面處孔隙率低,連接接頭強(qiáng)度高、穩(wěn)定可靠且耐高溫;被連接件與連接層的化學(xué)及力學(xué)相容性好、結(jié)構(gòu)完整性好;該制備方法具有連接強(qiáng)度高、操作簡(jiǎn)單、工藝要求低且能適應(yīng)滲硅后SiC陶瓷基復(fù)合材料連接等優(yōu)點(diǎn)。
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