本發(fā)明提供一種能夠以與作為EHC的構(gòu)成要素的形成材料的SiC或SiC-Si等相比而體積電阻率較低且體積電阻率的溫度依賴性較少的方式,形成高性能的EHC的構(gòu)成要素的
復(fù)合材料、通過(guò)該復(fù)合材料而形成的作為EHC的構(gòu)成要素的電極膜、電極端子以及蜂窩結(jié)構(gòu)的基材和所述構(gòu)成要素的制造方法。該復(fù)合材料為,由Si及SiC中的至少一種和MoSi2構(gòu)成的復(fù)合材料,且為電加熱式催化劑轉(zhuǎn)換器的構(gòu)成要素的形成材料。通過(guò)該復(fù)合材料來(lái)制造電極膜2、電極端子3以及基材1。
聲明:
“復(fù)合材料、電極膜及其制造方法、電極端子及其制造方法、基材及其制造方法、以及接合材料和通過(guò)接合材料而使分割體被接合而形成的基材的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)