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電子封裝用Cu/Ag(Invar)復合材料的制備方法

938 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 15:16:02

一種電子封裝用Cu/Ag(Invar)復合材料的制備方法，采用主鹽為AgNO3，還原劑為KNaC4H4O6的化學鍍溶液體系對平均粒徑為25?50?um的Invar粉體進行化學鍍Ag，制備出化學鍍Ag(Invar)復合粉體，以Ag(Invar)復合粉體與平均粒徑為25?50?um的Cu粉為原料，按照30?50?wt%Cu的成分配料后，加入原料粉體總量0.5wt%的硬脂酸鋅作為潤滑劑，雙軸滾筒混料，300?600?MPa單向壓制，高純H2氣氛保護，650?800?℃保溫1?3?h常壓燒結制備Cu/Ag(Invar)復合材料，并采用多道次冷軋+退火的形變熱處理工藝實現(xiàn)復合材料的近完全致密化。采用上述工藝制備的40?wt%Cu/Ag(Invar)復合材料可達致密度99%，硬度為HV256，熱膨脹系數(shù)11.2×10?6?K?1，熱導率53.7?W·(m·K)?1，綜合性能優(yōu)異，可用作高性能電子封裝熱沉材料。

聲明：

“電子封裝用Cu/Ag(Invar)復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)