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鈣鈦礦型鑭鈦氮氧化物半導體光催化劑及其制備和應用

1148 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-01 01:00:03

以La2TiO5作為單一前驅(qū)體，在高溫氨氣氛下進行熱氨解氮化，制備吸收帶邊為600nm左右的無EPR和UV?Vis?NIR光譜可探測的缺陷的LaTiO2N半導體，惰性氣氛退火處理，得到缺陷濃度可調(diào)變的LaTiO2N，提高LaTiO2N光催化活性?；蛘咭訪a2Ti2O7作為單一前驅(qū)體，在高溫氨氣氛下進行熱氨解氮化，制備具有缺陷的LaTiO2N半導體，惰性氣氛退火處理進一步增加缺陷濃度，提高LaTiO2N光催化活性。本方法中，La2TiO5作為前驅(qū)體能夠有效抑制高溫氮化過程中Ti的還原，抑制低價Ti缺陷或雜相的形成，為缺陷濃度調(diào)控提供全范圍基礎；采用簡單的惰性氣氛退火處理形成陰離子空位缺陷，通過改變退火參數(shù)方便地調(diào)變?nèi)毕轁舛?，實現(xiàn)光催化活性優(yōu)化。

聲明：

“鈣鈦礦型鑭鈦氮氧化物半導體光催化劑及其制備和應用” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)