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低熱膨脹系數(shù)C/C-SiC復(fù)合材料的制備方法

656   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:14:02
本發(fā)明公開了一種低熱膨脹系數(shù)C/C-SiC復(fù)合材料的制備方法,將體積分?jǐn)?shù)為40%~50%的正交三向長(zhǎng)碳纖維預(yù)制體在真空壓力條件下浸漬酚醛樹脂溶液后,進(jìn)行固化處理、碳化處理,重復(fù)真空浸漬-固化-碳化處理直至獲得的C/C材料密度達(dá)到1.45~1.60g/cm3,之后在Ar氣保護(hù)氣氛下進(jìn)行1800℃~2200℃高溫?zé)崽幚?,再結(jié)合液硅浸滲法(LSI法),得到密度為2.2~2.4g/cm3,-20℃~100℃溫度范圍內(nèi)平面方向和厚度方向的熱膨脹系數(shù)(CTE)分別約為0~0.1ppm/K、0.6~1.3ppm/K的C/C-SiC復(fù)合材料。本發(fā)明制備周期短,成本低,所得材料密度小,熱膨脹系數(shù)低,力學(xué)性能優(yōu)良,可滿足空間低溫環(huán)境下光機(jī)結(jié)構(gòu)件的應(yīng)用要求。
聲明:
“低熱膨脹系數(shù)C/C-SiC復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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