本發(fā)明涉及一種納米級高強度、導(dǎo)電性TiO2－Si3N4復(fù)合材料的制備方法，其特征在于首先用非均相沉淀法制備銳鈦礦型納米TiO2－Si3N4復(fù)合粉體，由納米TiO2－Si3N4復(fù)合粉體原位氮化制成氧化鈦－氮化硅復(fù)合粉體，然后原位氮化制成TiN－Si3N4復(fù)合粉體，加入Y2O3、Al2O3添加劑，制成TiN－Si3N4－Al2O3－Y2O3復(fù)合粉體，將TiN－Si3N4－Al2O3－Y2O3的復(fù)合粉體熱壓燒結(jié)而制成高強度、導(dǎo)電性的TiO2－Si3N4復(fù)合材料；復(fù)合材料中TiN/Si3N4=5/87～25/67，Al2O3為3，Y2O3為5(均為vol％)。本發(fā)明提供的方法制備的TiN－Si3N4中TiN/Si3N4=5/87～25/67(vol％)，在TiN含量為20－25vol％導(dǎo)電性最高，原位氮化后TiN顆均勻包裹在Si3N4顆粒表面，晶粒尺寸為40－50納米；比文獻報道的(30－50)vol％TiN含量低。