一種多孔Si3N4/SiC復(fù)相陶瓷增強(qiáng)金屬基
復(fù)合材料的制備方法,涉及一種陶瓷增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明為了解決目前的陶瓷增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料熱膨脹系數(shù)高以及增強(qiáng)體易發(fā)生團(tuán)聚且較難分散均勻的技術(shù)問題。本發(fā)明:一、制備漿料;二、制備多孔Si3N4/SiC復(fù)相陶瓷;三、多孔復(fù)相陶瓷的表面改性;四、制備復(fù)合材料。本發(fā)明的多孔復(fù)相陶瓷的孔徑較小,限制了復(fù)合材料中金屬晶粒的長大,“細(xì)晶強(qiáng)化”有效提高了復(fù)合材料的綜合力學(xué)性能;本發(fā)明的多孔復(fù)相陶瓷中Si3N4納米線均勻分布;本發(fā)明的金屬基復(fù)合材料中陶瓷增強(qiáng)體呈連續(xù)分布,使金屬基復(fù)合材料有低的熱膨脹系數(shù),較高的金屬含量使復(fù)合材料具有較高的熱導(dǎo)率。
聲明:
“多孔Si3N4/SiC復(fù)相陶瓷增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)