本發(fā)明公開了一種基于立、反面上放射性沾染消控的自碎共聚膜方法,包括以下幾個(gè)步驟:1、使用本發(fā)明的自碎共聚膜消控劑;2、使用一種遙控壓制機(jī),將自碎共聚膜消控劑噴射布灑在立面或反平面上的放射性沾染物上;3、與放射性顆粒間通過潤濕、吸附、包埋、膠粘、共聚成長等作用形成致密性好、連續(xù)的自碎共聚去污膜;4、經(jīng)過2?4小時(shí)后,自碎共聚膜自動(dòng)碎裂成具有一定粒徑和質(zhì)量的碎塊從墻壁或頂棚介質(zhì)表面脫落;5、使用一種搖控去污機(jī),回收收集封存裝袋,并從房間類空間轉(zhuǎn)移至放射性廢物儲(chǔ)存地。采用本發(fā)明的自碎共聚膜方法,具有清除率高、固化時(shí)間短、自碎后易脫落、易于回收、不易漂浮、作業(yè)溫度寬等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于立、反面上放射性沾染消控的自碎共聚膜方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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