本發(fā)明揭示了一種含鉭薄膜的刻蝕工藝,所述刻蝕工藝包括:步驟S1、在含鉭薄膜上沉積一層或者多層的隔離材料;步驟S2、采用光刻工藝,刻蝕隔離材料及含鉭薄膜。所述步驟S2具體包括:步驟S21、沉積光刻膠后進(jìn)行曝光、顯影工藝;步驟S22、采用刻蝕工藝先刻蝕上述的隔離材料;步驟S23、采用與步驟S22中的刻蝕工藝相同或者不同的工藝參數(shù)刻蝕含鉭薄膜,而后去除光刻膠;或者,在刻蝕隔離材料后先去除光刻膠,隨后以隔離材料作為硬掩膜,再次刻蝕去除含鉭薄膜。本發(fā)明提出的含鉭薄膜的刻蝕工藝,可以保證刻蝕后此薄膜表面潔凈,保障后續(xù)工藝的順利和性能(如接觸)的可靠。同時(shí),本發(fā)明工藝穩(wěn)定可靠且成本低。
聲明:
“含鉭薄膜的刻蝕工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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