一種砷化鎵/
石墨烯復(fù)合動(dòng)態(tài)可調(diào)寬帶太赫茲超材料吸收器,屬于超材料及電磁
功能材料領(lǐng)域。該吸收器分為上下兩個(gè)部分,上部分由砷化鎵(GaAs)/石墨烯超材料層,介電層與半導(dǎo)體GaAs層三部分組成;下部分包括十字石墨烯層,介電層和底層金屬反射層三部分。金屬反射層為一層連續(xù)的金屬薄膜,厚度大于工作太赫茲波的趨膚深度;介質(zhì)層為二氧化硅材料。頂層圖形由石墨烯十字與四個(gè)大小相同的GaAs方框鎖構(gòu)成;第四層為與頂層尺寸不同的石墨烯十字陣列。本發(fā)明通過(guò)對(duì)石墨烯與GaAs層的尺寸優(yōu)化與電壓調(diào)控,實(shí)現(xiàn)對(duì)垂直入射電磁波的完全吸收。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且具有寬頻帶高吸收頻率可調(diào)的特性,可用于太赫茲波段電磁波的收集和探測(cè)裝置。
聲明:
“砷化鎵/石墨烯復(fù)合超材料太赫茲寬帶吸收器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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