本發(fā)明屬于
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種無基板Mg基儲(chǔ)氫薄膜及其制備方法。制備步驟包括:在基板上旋涂光刻膠犧牲層,再依次磁控濺射沉積TM/Mg基/TM多層功能儲(chǔ)氫薄膜,溶解光刻膠犧牲層從襯底上剝離儲(chǔ)氫功能薄膜,離心洗滌并在真空室溫環(huán)境下干燥獲得新型納米結(jié)構(gòu)的Mg基儲(chǔ)氫材料。本方法制備的無基板Mg基儲(chǔ)氫薄膜材料改善了現(xiàn)有方法中基板與薄膜間應(yīng)變引起的薄膜破裂、脫落等情況,并且將有效含氫量所占體系質(zhì)量從0.0025%最高提升至7.4%。此外,無基板Mg基儲(chǔ)氫薄膜材料具有強(qiáng)抗氧化能力和低脫氫溫度,并能在近室溫條件實(shí)現(xiàn)可逆加氫反應(yīng)。
聲明:
“無基板Mg基儲(chǔ)氫薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)