本申請?zhí)峁┮环N晶體生長裝置,涉及
功能材料領(lǐng)域,包括爐體、籽晶桿、坩堝單元和加熱單元,坩堝單元與加熱單元均設(shè)于爐體內(nèi),加熱單元用于調(diào)節(jié)爐體內(nèi)溫度;坩堝單元包括保溫罩、金屬坩堝、內(nèi)層耐高溫坩堝、外層耐高溫坩堝和墊塊,金屬坩堝嵌設(shè)于內(nèi)層耐高溫坩堝內(nèi),內(nèi)層耐高溫坩堝嵌設(shè)于外層耐高溫坩堝內(nèi),墊塊支撐于內(nèi)層耐高溫坩堝和外層耐高溫坩堝之間;保溫罩同時罩設(shè)于金屬坩堝、內(nèi)層耐高溫坩堝、外層耐高溫坩堝的開口側(cè);保溫罩設(shè)有提拉孔,籽晶桿穿設(shè)于提拉孔內(nèi)且與提拉孔活動配合。運行時,該結(jié)構(gòu)能夠減小晶體生長過程中坩堝的形變量,坩堝不易被損壞,使用壽命長,成本低。
聲明:
“晶體生長裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)