本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的金屬氧化物電阻存儲器及其制備方法。該方法包括:在常規(guī)CMOS工藝完成前段工藝至鎢栓塞形成后,沉積金屬層間介質(zhì)層;之后將存儲陣列部分鎢栓塞上方的介質(zhì)層打開,形成第一層金屬布線溝槽,露出鎢栓塞;隨后生長金屬氧化物
功能材料、電極材料、擴(kuò)散阻擋層、仔晶銅以及電鍍銅,最后用化學(xué)機(jī)械拋光一步形成存儲單元及第一層金屬布線。本發(fā)明方法工藝簡便,在標(biāo)準(zhǔn)工藝的基礎(chǔ)上不需要額外增加光照步驟,成本低,效果好。
聲明:
“集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的金屬氧化物電阻存儲器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)