本發(fā)明涉及信息
功能材料制備領(lǐng)域,特別涉及一種硅基碳化硅薄膜材料制備方法,包括:將第一碳化硅晶圓和第二碳化硅晶圓鍵合形成第一鍵合結(jié)構(gòu);對所述第一鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理,沿所述第一碳化硅晶圓的缺陷層剝離部分所述第一碳化硅晶圓;在第一碳化硅晶圓上外延生長第一純度的碳化硅外延層,所述碳化硅外延層表面形成有第三鍵合介質(zhì)層;將所述第一鍵合結(jié)構(gòu)和硅襯底鍵合形成第二鍵合結(jié)構(gòu);面向所述第二碳化硅晶圓切割至所述第一鍵合介質(zhì)層,去除所述第二碳化硅晶圓和所述第一碳化硅晶圓,暴露所述碳化硅外延層,得到硅基碳化硅薄膜材料。本發(fā)明解決了碳化硅薄膜制備技術(shù)中單晶質(zhì)量差、無法通過傳統(tǒng)薄膜沉積異質(zhì)外延、薄膜均勻性差的技術(shù)問題。
聲明:
“硅基碳化硅薄膜材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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