本發(fā)明公開了一種摻硼金剛石刻蝕的方法,涉及新型電子材料工藝技術(shù),采用超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)和直流電弧等離子體噴射CVD設(shè)備制備,首先采用磁控濺射法濺射鎳納米顆粒,在以鎳納米顆粒作為催化劑等離子刻蝕摻硼金剛石,制得目標(biāo)產(chǎn)品。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:該多孔金剛石比較容易被加工成型,在新型電子
功能材料走向?qū)嶋H應(yīng)用的過程中,有非常關(guān)鍵的作用;該制備方法工藝簡單,易于實(shí)施,靶材使用率高、生產(chǎn)成本低,適于大規(guī)模的推廣應(yīng)用。
聲明:
“摻硼金剛石刻蝕的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)