本發(fā)明公開了一種降低二氧化釩薄膜相變溫度的方法,包括以下步驟:1)制備出具有相變功能的M相二氧化釩薄膜,所述M相二氧化釩薄膜形成于基板上;2)將步驟1)制備的M相二氧化釩薄膜樣品置于退火裝置中,將退火裝置抽真空至真空度為200~2000Pa后保持真空度不變或者抽真空至真空度為200~2000Pa后通入惰性氣體至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,再升溫至280~320℃,保溫時間為0.5~3h,然后隨爐自然冷卻至室溫,即可得到相變溫度降低的二氧化釩薄膜。本發(fā)明能夠降低純氧化釩薄膜的相變溫度,也能降低摻雜氧化釩薄膜的相變溫度,具有非常廣闊的使用范圍。此外,本發(fā)明處理溫度低,工藝簡單,安全性好,在高端光電
功能材料領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“降低二氧化釩薄膜相變溫度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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