本發(fā)明屬于不揮發(fā)存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種采用電場(chǎng)增強(qiáng)層的阻變存儲(chǔ)器及其制造方法。本發(fā)明阻變存儲(chǔ)器包括頂電極、底電極以及位于所述頂電極與所述底電極之間的一層阻變功能介質(zhì)層和一層電場(chǎng)增強(qiáng)層;所述的電場(chǎng)增強(qiáng)層和電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層相鄰,并且,電場(chǎng)增強(qiáng)層的介電常數(shù)低于阻變功能介質(zhì)層的介電常數(shù)。本發(fā)明選用不同介電常數(shù)的阻變
功能材料組成疊層結(jié)構(gòu)來調(diào)節(jié)阻變存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元中的電場(chǎng)分布,進(jìn)而通過控制該電場(chǎng)分布來實(shí)現(xiàn)阻變存儲(chǔ)器在阻變過程中所形成的導(dǎo)電通道結(jié)構(gòu)和數(shù)量上的控制。本發(fā)明提出的阻變存儲(chǔ)器性能穩(wěn)定可控。
聲明:
“采用電場(chǎng)增強(qiáng)層的阻變存儲(chǔ)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)