本發(fā)明公開一種Cl修飾GQD/ZnO/酸化凹凸棒石納米復(fù)合抗菌劑及其制備方法,以ATP為載體,HCl為修飾劑,Cl修飾GQD和新型光電
功能材料ZnO量子點(diǎn)為主要抗菌組分,通過對(duì)GQD進(jìn)行修飾增加其缺陷位點(diǎn),并與ZnO進(jìn)行復(fù)合,有效抑制ZnO表面光生?電子的復(fù)合,促進(jìn)活性氧的產(chǎn)生;最后,將Cl修飾GQD/ZnO量子點(diǎn)負(fù)載到酸化凹凸棒石表面,利用ATP巨大的比表面積和高吸收率,將細(xì)菌吸附至其表面,然后協(xié)同負(fù)載在酸化凹凸棒石表面及孔道間的Cl修飾GQD/ZnO量子點(diǎn)(GQD?Cl/ZnO)發(fā)揮高效抗菌作用。本技術(shù)方案具有安全無污染、抗菌效率高等優(yōu)點(diǎn),采用3mg/ml本發(fā)明所制備納米復(fù)合抗菌劑對(duì)大腸桿菌的抑菌率可達(dá)96.88%。
聲明:
“Cl修飾GQD/ZnO/酸化凹凸棒石納米復(fù)合抗菌劑及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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