本發(fā)明公開了一種高TCR低方阻線性NTC電阻漿料的制備方法,該方法以非線性的錳、鎳、銅NTC陶瓷反應前驅物作為線性NTC漿料的主體
功能材料,通過制備合適的B值(材料常數(shù))和電阻率的非線性NTC材料,可有效降低貴金屬的加入量;同時,使用合適的非線性NTC粉混合釕粉或氧化釕粉以降低阻值和減小溫度對阻值的影響,達到阻值和溫度的線性關系,應用時十分穩(wěn)定。本發(fā)明符合目前電子元件小型化、片式化的發(fā)展方向,自主研發(fā)并規(guī)?;a關鍵電子漿料,可加快國內電子元件的發(fā)展,且制備低成本高性能的線性NTC漿料可大幅度降低熱敏電阻等元器件的成本,可帶來巨大經濟效益。
聲明:
“高TCR低方阻線性NTC電阻漿料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)