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基于溶脹技術(shù)的量子點(diǎn)熒光印跡傳感器的制備方法

1276   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:06:02
本發(fā)明提供一種基于溶脹技術(shù)的量子點(diǎn)熒光印跡傳感器的制備方法,屬環(huán)境功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明首先按常規(guī)方法合成CdTe量子點(diǎn);然后利用無皂乳液聚合方法,將苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和過硫酸鉀加入到水中,加熱反應(yīng)過夜,得到聚苯乙烯(PS)微球;利用可聚合型表面活性劑OVDAC將CdTe量子點(diǎn)轉(zhuǎn)相到氯仿相中,得到OVDAC修飾的CdTe量子點(diǎn);再利用溶脹技術(shù)合成以O(shè)VDAC修飾的CdTe量子點(diǎn)為熒光載體,聯(lián)苯菊酯為模板分子,聚苯乙烯微球?yàn)榫酆衔锘|(zhì)的CdTe量子點(diǎn)熒光分子印跡聚合物,并用于光學(xué)檢測聯(lián)苯菊酯。本發(fā)明制備的CdTe量子點(diǎn)熒光分子印跡聚合物具有很好的穩(wěn)定性和光學(xué)性能,且具有選擇性識(shí)別聯(lián)苯菊酯的能力。
聲明:
“基于溶脹技術(shù)的量子點(diǎn)熒光印跡傳感器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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