本發(fā)明屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種氧化鋅材料發(fā)光二極管的制備方法。其特征是在不同的襯底材料表面上,采用超聲霧化熱分解方法,依次生長(zhǎng)p-型和n-型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p-n結(jié)材料。通過(guò)控制先驅(qū)體溶液濃度及配比、襯底溫度、成膜氣氛及霧化氣量可實(shí)現(xiàn)對(duì)制得ZnO基p-n結(jié)材料電學(xué)性能的控制,以滿足制備氧化鋅基發(fā)光二極管(LEDs),激光二極管(LDs)等光電子器件方面的需要。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝制備上下歐姆接觸電極,即可獲得氧化鋅材料發(fā)光二極管。本發(fā)明的效果和益處在于提供一種工藝簡(jiǎn)單易行的制備氧化鋅發(fā)光二極管(LEDs)的方法。氧化鋅材料p-n結(jié)室溫電注入發(fā)光的實(shí)現(xiàn)必將進(jìn)一步促進(jìn)ZnO光電信息
功能材料和器件的應(yīng)用。
聲明:
“氧化鋅材料發(fā)光二極管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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