本發(fā)明涉及一種激光技術(shù)制備二氧化錫半導(dǎo)體薄膜及其微結(jié)構(gòu)缺陷湮滅的實(shí)驗(yàn)工藝，屬于半導(dǎo)體薄膜制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。二氧化錫是近年來引起廣泛關(guān)注的一種n-型半導(dǎo)體功能材料，在微電子工業(yè)、光電子器件以及太陽能電池等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。利用脈沖激光沉積方法，控制一定工藝參數(shù)，在室溫下，將薄膜沉積在玻璃襯底上，制備出了二氧化錫半導(dǎo)體薄膜；該薄膜存在著若干微結(jié)構(gòu)缺陷，使其應(yīng)用受到限制，然而，采用在高分辨電子顯微鏡，將上述具有微結(jié)構(gòu)缺陷的薄膜進(jìn)行300℃原位退火2小時(shí)，簡(jiǎn)單地成功實(shí)施了二氧化錫半導(dǎo)體薄膜的微結(jié)構(gòu)缺陷的湮滅技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了薄膜微結(jié)構(gòu)無缺陷的工藝，本方法在薄膜制備領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。