本發(fā)明屬于不揮發(fā)存儲器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種采用電場增強層的阻變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明的阻變存儲器包括頂電極、底電極以及位于所述頂電極與所述底電極之間的由第一層電阻轉(zhuǎn)變層和第二層電阻轉(zhuǎn)變層兼電場增強層組成的疊層;第二層電阻轉(zhuǎn)變層兼電場增強層和第一層電阻轉(zhuǎn)變層相鄰,并具有比所述第一層電阻轉(zhuǎn)變層低的介電常數(shù)。本發(fā)明選用不同介電常數(shù)的阻變
功能材料組成疊層結(jié)構(gòu)來調(diào)節(jié)阻變存儲結(jié)構(gòu)單元中的電場分布,進而通過控制阻變存儲器器件結(jié)構(gòu)中的電場分布來實現(xiàn)阻變存儲器在阻變過程中所形成的導(dǎo)電通道結(jié)構(gòu)和數(shù)量上的控制。本發(fā)明的阻變存儲器性能穩(wěn)定可控。
聲明:
“采用電場增強層的阻變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)